حمدي عبد الحميد

حصل د. حمدى عبد الحميد على شهادة البكالوريوس في الهندسة الكهربائية في عام 1994 من المعهد العالي للتكنولوجيا بمصر. ثم حصل على درجة الماجستير في عام 2000 في الهندسة الالكترونية من جامعة عين شمس بمصر.

في عام 2005 حصل عبد الحميد على دبلوم الدراسات العليا، وفي 2007 على درجة الدكتوراة الدكتوراة من جامعة روفيرا إي فيرخيلي (Universitat Rovira i Virgili) باسبانيا. تركز بحث الدكتوراة الخاص به على تطوير نماذج التصميم بمساعدة الحاسوب (CAD) من أجل ترانزيستور حديث أحادي القطب مُطَعَّم بسيليكون فوق عازل (SOI MOSFETs) من وضع التيار المباشر (DC) إلى وضع موجة تردد الراديو (RF).

من أبريل إلى يونيو 2005، كان عبد الحميد خريج زائر بقسم الهندسة الكهربائية في جامعة ليفربول في المملكة المتحدة. من أبريل إلى يونيو 2005، كان الدكتور عبد الحميد طالب زائر خريج في جامعة ليفربول قسم الهندسة الكهربائية في المملكة المتحدة. انضم إلى مختبر الإلكترونيات الدقيقة في جامعة لوفان الكاثوليكية في بلجيكا من أبريل إلى يونيو 2006 وفي فبراير 2007، حيث عمل على توصيف ونمذجة الأغشية الرقيقة والأغشية فوق الرقيقة فينفيت (FinFETs) المُطَعَّمة بسيليكون فوق عازل (SOI) من درجة حرارة الغرفة إلى درجة حرارة عالية ومن وضع التيار المباشر (DC) إلى وضع موجة تردد الراديو (RF).

شارك عبد الحميد في عدد من الدورات القصيرة عن تكنولوجيا السيليكون فوق العازل (SOI) في الجامعات، الشركات الصناعية والمؤتمرات. وقد قدم العديد من الدورات التدريبية الأوروبية عن تكنولوجيا وأجهزة ودوائر السيليكون فوق العازل (SOI).
من أكتوبر 2007 إلى سبتمبر 2009، عمل الدكتور عبد الحميد كزميل ما بعد الدكتوراة بقسم الهندسة الإلكترونية في جامعة ماكماستر في كندا (بتمويل من وزارة أونتاريو للبحوث والابتكار).

كما عمل كمدرس بقسم الهندسة الكهربائية في الجامعة البريطانية بمصرخلال الفترة من أكتوبر 2009 إلى سبتمبر 2010. ومن أكتوبر 2010 إلى سبتمبر 2012، عمل كمدرس بقسم الهندسة الكهربائية في جامعة القصيم بالمملكة العربية السعودية.

قام الدكتور عبد الحميد بتأليف والمشاركة في تأليف عدد من المقالات البحثية التي نشرت في دوريات دولية ووقائع مؤتمرات.

وقد أصبح الدكتور عبد الحميد مؤخراً عضواً في جمعية النانو الأمريكية وبنك تكنولوجيا النانو، في ضوء إسهامات العلمية في مجال إلكترونيات النانو وتكنولوجيا النانو.